死区一般是软件在配，但真正决定成败的很多时候是驱动电路。几个真实的坑。
自举电容选小了
上管驱动靠自举。电容太小，低频、大占空比时电压塌陷，上管驱动不足，表现为"莫名其妙的一相弱"。选 1μF 起步，并注意自举二极管的反向恢复。
门极电阻不对称
有人为了压振铃把上管门阻加大，结果上下管开关速度不一致，死区等效时间跟着变。补偿参数是按实际开关时间算的，门阻一改就要重算。
米勒平台期间误开通
半桥中点 dv/dt 高，下管门极被米勒电容耦合抬起来，容易瞬间直通。对策：负压关断、门极有源钳位，或者干脆加大死区——但代价是波形变差。
驱动电源去耦
驱动电源的陶瓷电容离管脚超过 5mm，效果就打折。布局阶段就该处理，别等样板回来补救。
一句话
软件层面的死区补偿做得再精细，也补不回硬件层面的时序紊乱。先让驱动干净，再谈算法。